台积电于去年底开始投产10nm工艺，不过投产后却面临着良率问题，经过数个月的努力，至目前据台媒的报道指良率已提升到70%左右。
联发科去年为了进军高端市场，下了很大的决心，将其今年的高端芯片helio X30和helio P35都采用台积电的10nm工艺，希望采用当前最先进工艺来获得更好的性能和功耗表现，以与高通竞争。
联发科原计划是本季度初投产X30，二季度开始投产P35，但是由于台积电的10nm工艺良率问题以及需要优先照顾苹果生产A10X的原因，helio X30直到近期才投产预计二季度有手机采用该芯片上市。
现在因为苹果的A11处理器订单巨大，并且下个月就开始生产，这意味着台积电能分给联发科P35的10nm工艺产能将极为有限，P35能否如期投产上市将成为一个疑问，而且从当前的情况来看这个影响会延续到三季度，到三季度的话联发科将迎来高通多款芯片的挑战，P35将难有竞争力。
高通去年的中端芯片骁龙625采用了三星的14nmFinFET工艺生产，由于性能功耗表现优异取得了中国手机品牌包括OPPO在内的支持。今年新款中高端芯片骁龙660也将采用三星的14nmFinFET工艺。
骁龙625和联发科P35都是八核A53架构，骁龙660是四核A73+四核A53架构性能更高。高通采用三星14nmFinFET工艺有多种考虑，一个是避免了冲击自己的高端芯片骁龙835，另一个是14nmFinFET工艺更成熟产能充足和成本较低，这样可以保证充足的供应。
如今回顾联发科采用10nm工艺的激进策略，可以认为这是一种错误，导致自己一再错失良机，并且影响到今年三季度，对其业绩将产生严重的不利影响。
市场竞争，往往并非仅仅是芯片设计能力的竞争，也是一个企业对其他行业综合考虑进而采取符合自己策略的竞争，联发科过去几年其实做已很不错，甚至一度在中国手机芯片市场的份额超过高通，但是在10nm工艺上却做出如此抉择显然一件相当遗憾的事情。
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