中芯长电二期J2A厂房奠基仪式
中芯长电由中芯国际携手长电科技于2014年8月成立，2015年12月高通对其进行增资，组建仅仅三年，于2016年实现了28纳米和14纳米硅片凸块加工的量产，目前已实现12英寸晶圆单月超1万片的大规模出货。中芯长电在超高密度凸块加工工艺上，不仅实现了业界一流的生产良率，并在接触电阻、超低介电常数(ELK)材料缺陷控制等关键技术指标上，达到业界领先水平，形成了独特的竞争优势。中芯长电将持续扩充12英寸硅片中段凸块加工产能，专注发展先进硅片级封装技术，为客户稳定可靠的先进产业链需求提供强有力的保障。
中芯长电半导体首席执行官崔东(左)和高通全球运营高级副总裁陈若文博士(右)
中芯长电半导体首席执行官崔东先生表示：“我非常自豪我们的团队能够在短时期内展示出世界先进水平的中段硅片制造运营管理和服务能力，并且被高通所认可。与高通这样的世界一流公司合作，起步压力很大、门槛很高，但是感谢其一贯支持，不仅帮助我们成功地在中国建立了领先的12英寸凸块加工生产线，并且快速地实现了稳定高效、高质量、大规模的量产。此次我们的10纳米硅片超高密度凸块技术开始认证，不仅体现了高通对我们公司和团队能力以及执行力的高度肯定，相信更能推动公司发展到更高技术水平。”
高通全球运营高级副总裁陈若文博士表示：“我们祝贺中芯长电在28纳米和14纳米硅片凸块加工大规模量产方面取得突出成绩。此次10纳米超高密度凸块加工开始认证，表明中芯长电在中段凸块加工领域取得突破性进展，工艺技术水平达到了世界一流。中芯长电是最近几年来高通唯一新引入的中段硅片凸块加工制造供应商，我和团队非常高兴双方的合作能够不断取得突破。未来，10纳米凸块加工将进一步强化我们在中国半导体供应链产业的布局，体现了我们支持中国本土集成电路制造产业升级的承诺，也必将有助于我们更好地服务中国客户。”
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