大约是从去年年中开始,以固态硬盘为代表的,包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品,开始缓慢涨价。一开始的涨价幅度并不是特别大,许多人并没有在意,也没有太多人去解读。
但是随着时间的推移,到了2016年第三第四季度,涨价的幅度逐渐增大,大幅超过许多人的心理预期价位时,有人开始质疑了:闪存产品为什么涨价如此厉害?
然而,存储产品的涨价风波并没有就此停下脚步,进入2017年。无论是闪存大户固态硬盘,还是内存条闪存卡等产品线,依旧在涨价的路上越走越远。
金士顿V300近一年来价格走势图
三星750EVO近一年来价格走势图
那么,此轮存储产品线的涨价风波到底缘何而起?此轮涨价风波到底何时方能风平浪静?下面,且听笔者胡诌一番,如有不妥之处,权当笑尔。
涨价风波缘起之一:技术冒进,量产不足
近年来,随着固态硬盘的普及,主流的存储产品,几乎都开始以闪存作为主要的存储介质,可能唯一的区别在于是易失性还是非易失性。
在过去的一年,随着固态硬盘加入主流存储产品序列,各大闪存原厂开始扩大园区,加速产能,以期推出更多的原厂闪存以供给下游新生的固态硬盘存储厂商对于闪存原料的需求。然而,无论是扩大园区还是加速产能,几乎都无法满足,在去年开始爆发性增长的对于闪存原料的需求,以及随着固态硬盘走向平民化带来的利润率下降问题。
各大闪存原厂开始从闪存技术方面进行革新,先是大量采用TLC替代MLC闪存颗粒,提高量产的同时还能提高利润率,然而这一招并不能从根基上解决产能不足问题。于是,全行业开始从2D NAND制程转向3D NAND制程,力图从提高单位闪存颗粒的最高容量上着手,间接提高整体闪存的出货量,以满足整个市场对于闪存原料的需求。
SLC/MLC/TLC三种层叠示意图
在这里简单介绍2D NAND和3D NAND之间的区别和联系。2D NAND就如同在一块有限的平面上建立的数间平房,这些平房整齐排列。但是随着需求量的不断增加,平房的数量不断井喷,可最终这块面积有限的平面只能容纳一定数量的平房而无法继续增加
3D NAND则就如同在同一块平面上盖起的楼房,在同样的平面中,楼房的容积率却远远高于平房。因而它能提供更多的空间,也就是提供了更大的存储空间,而32层、48层以及64层,则就是这些楼房的高度,一共堆叠了多少层。
2D NAND是平房;3D NAND是楼房(图片来自互联网)
从结果而言,采用这一技术的确是能够快速有效的解决闪存量产不足的问题。然而,众多原厂却忽视了技术瓶颈,对于3D NAND技术下闪存切割的良品率过于乐观,致使在2D NAND转至3D NAND的过程中,远远达不到预期产量,进一步加剧了闪存供应不足的现实局面,更何况在2D转3D技术的过程中,所有的机械、人工、厂房的投入,不可能因为技术瓶颈而放弃研发,重新转回2D,更加剧了2D NAND的减产,引发全行业的闪存缺货。
供不应求,则必然导致的结果是存储厂商采购成本的提高,从而引发终端产品的价格一路飞涨。
第2页:涨价缘起之二:大容量存储成为标配
涨价缘起之二:大容量存储成为数码标配
如果说,技术冒进引发量产不足是以固态硬盘为代表的存储产品涨价的内因的话,那么在2016年开始流行的数码产品配备大容量存储器则可以说是,引发存储产品涨价的最大外因了。
数码设备内部大容量存储器
众所周知,在全世界范围内,能够独立生产和封装闪存原料的所谓原厂仅有屈指可数的几家,然而这几家的闪存原料,却要供应包括传统的存储产品,例如固态硬盘、闪存卡、优盘甚至部分内存,还要供应给量级不断攀升的手机、平板电脑、超极本以及一体机等新兴数码产品。
鉴于此类新兴数码产品,大都是一体化设计无法实现外置存储功能,大约从去年开始,对于大容量的内部存储器的需求,不断加码。高达128GB甚至256GB内置存储容量,成为了这些新兴数码产品的标配,更成为了某些科技公司利润率的重大保障(不要怀疑,我可没有说Apple哦)。
笔记本设备中的大容量存储器
同时,此类新兴数码产品的销量和热度的攀升,利润率的上升,给予原厂更多的价格回馈,因而更多的原厂愿意将闪存原料优先供给给手机平板以及超极本等客户,这就进一步加剧了固态硬盘等传统存储产品闪存原料的缺失。
闪存原料的倾斜,引发的连锁效应,倒逼存储厂商不得不上调价格维系利润。
第3页:涨价缘起之三:服务器市场的青睐
涨价缘起之三:闪存技术引发服务器市场的青睐
在传统的存储行业,一直存在着消费级市场和服务器级市场。一般来说,新兴的存储技术在消费级存储市场得到了充分验证,保证技术上的稳定后,服务器级市场便会开始大规模应用。
在固态硬盘技术处于2D NAND时代,服务器级市场几乎很少使用固态硬盘作为存储介质,毕竟服务器市场的负载压力和容量要求,非一般的固态硬盘能够满足。
服务器级市场得到释放
但是,随着近年来,Intel的3D X-POINT的正式问世,也就是Optane敖腾等服务器级市场存储产品的登场,越来越多的尚未应用以闪存为存储介质的服务器级市场,开始从去年开始慢慢进行产品的更新换代,将老旧的服务器级机械硬盘替下,换上技术更为先进,速度更快,性能更稳定的固态硬盘。
就在不久前,Intel官方还在公开场合宣布,随着3D Xpoint的成熟,Intel将在2017年优先生产高速增长的数据中心应用(也就是服务器级市场)的固态硬盘,而不是低成本的消费级固态硬盘。
Optane敖腾
服务器级市场的对于闪存颗粒需求的释放,无疑给身处缺货困恼的消费级存储市场又一重击。众所周知,服务器级市场鉴于其服务定位及产品功能,在采购方面的议价能力远高于消费级存储市场,对于闪存原料的控制力,更是一众消费级存储厂商不可同日而语的。
在高价采购闪存原料的情况下,固态硬盘等存储产品涨价也就不难理解了。
第4页:涨价风波何时能止:2018年有望回落
涨价风波何时能止:2018年年初有望回落
既然存储产品疯狂涨价的根源在于闪存颗粒的量产不足,那么唯有等到所有的闪存原厂在3D制程上实现了完全突破,几大原厂能够在同一体系下进行竞争,存储产品涨价的风波才有可能停歇,正如同当下神州大地疯狂上涨的房价,唯有政府敢于丢卒保车,方破解全局。
早前曝光的东芝闪存厂
三星位于中国西安的闪存厂
那么,各大闪存原厂的3D制程都发展到哪一阶段了呢?根据公开消息,首先是Intel,不久前发布了全新针对服务器级市场的,基于3D Xpoint产品,并在2017年全年加紧供货服务器级市场;接着是三星,三星最新的Fab18闪存工厂,不久将要投入量产,2017年将是量产的关键之年;同样的东芝Fab2、美光Fab10x以及SK海力士M14等闪存工厂都将在2017年进行量产。
几乎所有的闪存原厂都将在2017年开始量产基于最新堆叠层数的3D NAND技术产品,量产的产品经过最终封装和分发到存储厂商手中,然后经由存储厂商进行产品方案的选择和最终推出到市场,可能还会经历一段时间。
根据供应链一般的流程以及笔者个人观点预计,存储产品的价格回落最快得到2017年年底到2018年年初,甚至可能延期到2018年第一季度。
小结:
任何电子产品,受制于上下游制程或是工艺,都会在一段时间内呈现反常的大规模涨价或是降价,这是正常的市场行为表现。作为消费者的我们,不用太过在意所谓涨价和降价,所有的购买行为应当根据真实需求。正所谓,塞翁失马,焉知非福。
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