创意无极限，仪表最新专利的发明。今天为大家介绍一项国家发明授权专利——一种新型的压力/差压变送器耐高过载压力装置。该专利由福建上润精密仪器有限公司申请，并于2017年6月6日获得授权公告。
内容说明
本发明涉及压力/差压变送器系列产品，具体说是一种保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型装置。
发明背景
现有用单晶硅的压阻效应制做的压力/差压变送器采用了单晶硅的压阻转换电信号的检测方式，将作用在硅传感元件正压腔和负压腔的压力变化，使设置在单晶硅表层的桥臂电阻发生变化量，经压力/差压变送器上的低功耗电子电路转换成与被测压力/差压量相对应的4-20mA电流信号及数字显示，由于工业场合使用的压力/差压变送器的测量介质本身的静态压力或过载压力，有可能大大超过单晶硅本身所能承受的压力，造成单晶硅的损坏。因此要提供一种既能真实传导检测介质的压力又要保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型装置，已成为当务之亟。
发明内容
为了克服现有产品的缺陷，本发明的目的是要提出结构简单，使用方便，工作安全和稳定的一种保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型装置。
图为本发明剖视结构视图
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种新型的压力/差压变送器耐高过载压力装置，特征是：有一个正压腔基座，正压腔基座的侧边设置有负压腔基座，正压腔基座和负压腔基座内端波纹面之间设置有中心膜片，中心膜片与正压腔基座和负压腔基座的内端波纹面外周界锥面固定一起；正压腔基座和负压腔基座的外端波纹面外固定有隔离膜片；正压腔基座的上端固定有连接件，正压腔基座伸入至连接件的中间上端设置有硅传感器，硅传感器中心靠下端处设置有硅片；正压腔基座内外端波纹面轴线上设置有一端通正压腔基座外端波纹面、另一端通正压腔基座内端波纹面的下正压腔引压孔，正压腔基座内外端波纹面轴线上方设置有与轴线平行且一端通正压腔基座内端波纹面的中正压腔引压孔，正压腔基座内外端波纹面轴线上方设置有与轴线垂直且一端通正压腔基座与硅传感器缝隙、另一端与中正压腔引压孔的一端相通的中上正压腔引压孔，正压腔基座中间上方设置有与中上正压腔引压孔垂直且一端通中上正压腔引压孔之中、另一端通正压腔基座外边的上正压腔引压孔。
负压腔基座内外端波纹面轴线上设置有一端通负压腔基座外端波纹面、另一端通负压腔基座内端波纹面的下负压腔引压孔，负压腔基座内外端波纹面轴线上方设置有与轴线平行且一端通负压腔基座内端波纹面的中负压腔引压孔，负压腔基座内外端波纹面轴线上方设置有与中负压腔引压孔垂直且一端通负压腔基座和正压腔基座结合锥面、另一端与中负压腔引压孔的一端相通的上负压腔引压孔，正压腔基座中间上方设置有一端通正压腔基座和负压腔基座结合锥面、且与上负压腔引压孔通向负压腔基座和正压腔基座结合锥面处端口重合的下端负压腔引压孔，正压腔基座中间上方设置有与中上正压腔引压孔平行且一端通正压腔基座和连接件缝隙、另一端和下端负压腔引压孔的一端相通的中上端负压腔引压孔，正压腔基座中间上方设置有与中上端负压腔引压孔垂直、与上正压腔引压孔平行且一端通中上端负压腔引压孔之中、另一端通正压腔基座外边的上端负压腔引压孔。
正压腔引压孔和负压腔引压孔中间设置有硅油；正压腔基座的内端设置有紧定螺钉，紧定螺钉中心上端设置有与正压腔引压孔和负压腔引压孔配合的密封钢球。
所述的正压腔基座与负压腔基座的内端波纹面外周界锥面相互固定，且两基座内与隔离膜片轴向垂直的引压孔方向一致以及负压腔基座的引压孔出口与负压腔基座的引压孔在正压腔基座上的部分进口一致对准。
所述的正压侧基座与负压侧基座的基座外端波纹面与隔离膜片之间、引压孔内、两基座内端波纹面与中心膜片之间、正压腔基座与硅传感器之间及硅传感器与螺纹连接件缝隙形成的腔体内设置有硅油。
本发明在正压腔中心及内部设置有正压腔引压孔的基座外端波纹面外固定有隔离膜片；负压腔中心及内部设置有负压腔引压孔的基座外端波纹面外固定有隔离膜片；正压腔基座的上方外周固定有用连接件的连接件；连接件的内部正压腔基座的上方固定有硅传感器；硅传感器上面外周界固定在连接件内。
本发明基座隔离膜片、中心膜片、硅传感器、连接件为金属材料。引压孔、波纹面是由机械加工完成的。固定是由焊接固定的。硅油是经高温、高真空下处理过的硅油灌注的。
本发明的有益效果是：由于本发明解决了压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型结构。当正常待测介质的压力作用于两边隔离膜片上，一边经正压腔基座内的硅油传递到硅传感器内硅片的正压受压面，另一边经负压基腔座内的硅油传递到硅传感器内硅片的负压受压面。当待测介质的压力超出压力/差压变送器正常测量的压力时，正压腔基座、负压腔基座两边的隔离膜片会贴住正压腔基座、负压腔基座中心的引压孔，这样就阻隔了压力的传递，也就实现了压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型结构。
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